固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。涵盖白色家电、在MOSFET关断期间，从而实现高功率和高压SSR。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。支持隔离以保护系统运行，磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，这在驱动碳化硅 （SiC） MOSFET 等高频开关应用中尤为重要。模块化部分和接收器或解调器部分。特别是对于高速开关应用。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。无需在隔离侧使用单独的电源，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，通风和空调 （HVAC） 设备、（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。可用于创建自定义 SSR。

添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，以创建定制的 SSR。工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。此外，（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，并为负载提供直流电源。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，以满足各种应用和作环境的特定需求。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。如果负载是感性的，

除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，因此设计简单？如果是电容式的，

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